高温四探针测试仪的技术特点与适用情况阐述

　　高温四探针测试仪广泛用于碳系导电材料、金属系导电材料、金属氧化物系导电材料、结构型高分子导电材料、复合导电材料等材料的电阻率测量。高温四探针测试仪过先进的测控软件可以显示出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线。

　　高温四探针测试仪测量系统，该系统可以测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻，该设备按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A。S。T。M标准而设计的。

　　高温四探针测试仪技术指标

　　测量温度：室温---600°C；

　　控温精度：±1℃，

　　显示精度：±0.1℃；

　　升温斜率：1-5°C/min；

　　测量精度：0.05%；

　　电阻率：10-5～105Ω。cm；

　　电导率：10-5～105s/cm

　　方块电阻：10-4～106Ω/□；

　　电阻：10-5～105Ω；

　　探针间距：2±0.01mm；

　　探针压力：0~2kg可调；

　　针间绝缘电阻：≥1000MΩ；

　　真空腔体漏率标准要小于10-9Pa？m3/s；

　　样品：直径15~30mm，厚度小于4mm；

　　设备尺寸：680mmX450mmX400mm

　　半导体高温四探针测试仪特点：

　　TVS瞬间抑制防护技术：光耦与隔离无非是提高仪器的采集的抗干扰处理，对于闪络放电过程中的浪涌对控制系统的防护起不到任何作用。华测独立开发的TVS瞬间抑制防护技术，将起到对控制系统的防护。

　　多级循环温度采集技术：设备采用PID算法，以及多级循环温度采集以保证温度的有效值。控温和测温采用同一个传感器，保证样品每次采集的温度都是样品实际温度。

　　双系统互锁技术及隔离屏蔽技术：本设备不仅具备过压、过流保护系统，它独有的双系统互锁机制，当任何元器件出现问题或单系统出现故障时，将瞬间切断电源。采用低通滤波电流检测技术以保证采集电流的有效值，以及电流抗干扰的屏蔽。

　　SPWM电子升压技术目前进口设备大都采用SPWM电子升压技术，这一技术具有升压速度平稳，精度高。便于维护等优点是调压器无法比拟的。

　　适用范围：

　　1、可以测量高温、真空、气氛下薄膜方块电阻和薄层电阻率；

　　2、软件、触摸屏、高温炉等集成于一体，可以进行可视化操作；

　　3、可实现纯净气氛条件下的测量；同时保证探针在高温下不氧化；

　　4、采用labview软件开发，操控性、兼容性好、方便升级；

　　5、可自动调节样品测试电压，探针和薄膜接触闪络现象；

　　6、控温和测温采用同一个传感器，保证样品每次采集的温度都是样品实际温度；

　　7、可配套使用Keithley2400或2600数字多用表。

　　采用由四端测量方法测试电阻率系统与高温试验箱为一体的专用的高温测试系统，满足半导体及导体材料因温度变化对电阻值变化的测量要求，通以在高温、真空、气氛的条件下测量导电材料电阻和电阻率，可以分析被测样的电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线.

　　目前主要针对圆片、方块、长条等样品进行测试，可以广泛用于碳系导电材料、金属系导电材料、金属氧化物系导电材料、结构型高分子导电材料、复合导电材料等材料的电阻率测量。过先进的测控软件可以显示出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线。